使用铌酸锂单晶薄膜开发出高频调制器件，与传统调制器相比，体积大
幅缩小，长度缩短为传统器件的1/3。该产品利用中阶层和缓冲层两个材料体系共同作用，抑制薄膜结构的DC漂移，线性度高，不用搭配TEC来稳定温度效应。性能方面，根据封装工艺不同，实现了25G，40G和60G带宽，可用于用于800G相干光通信。有较低的RFVπ和插入损耗，在调制效率、偏正保持等指标都达到或超过传统体材料铌酸锂器件。
参数规格：
技术指标 | 参数 | 单位 |
插入损耗 | ＜3.5 | dB |
光反射损耗 | 40 | dB |
光学开关消光比 | 25 | dB |
工作带宽 | ＞40 | GHz |
工作波长 | 1310/1550 | nm |
半波电压*调制长度 | ＜3 | Vπ*cm |